ELIPSOMETR SPEKTROSKOPOWY

SENresearch 4.0 to jedyny elipsometr na świecie, który może być konfigurowany w zakresie spektralnym 190 nm–3500 nm (UV-VIS-NIR). Wykorzystanie spektrofotometru FTIR umożliwia wyznaczanie grubości dla powłok nawet 200 μm. Urządzenie może zostać skonfigurowane tak, aby idealnie dopasować je do indywidualnych zastosowań użytkownika.

W urządzeniu zastosowano tryb skanowania SSA (ang. Step Scan Analyser), tzn. niewymagający ruchu elementów toru optycznego w czasie akwizycji, co znacznie skraca czas pomiaru. Pomiar natężenia jest uniezależniony od ruchu mechanicznego.

Elipsometr SENresearch 4.0 wyróżnia duża liczba akcesoriów oraz opcji, o które urządzenie może być rozbudowane od razu lub w przyszłości. Pośród nich znaleźć można stoliki do mapowania, opcję 2C do wyznaczania wszystkich elementów macierzy Muellera, system automatycznego dostrajania wysokości i pochyłu, mikrospoty, celki cieczowe, stoliki grzewcze & chłodzące, uchwyt do pomiarów transmisyjnych.

W elipsometrze SENresearch 4.0 dostępny jest goniometr manualny lub automatyczny. Nowa, piramidalna konstrukcja goniometru, pozwala na wykonywanie pomiarów w szerokim zakresie kątowym od 20 ° do 100 °. Optyczne enkodery zapewniają najwyższą precyzję i długotrwałą stabilność ustawień kątowych. Ramiona elipsometru mogą poruszać się niezależnie, co umożliwia wykonywanie badań skaterometrycznych oraz kątowozależnych pomiarów transmisyjnych.

Elipsometr spektroskopowy firmy SENTECH z rodziny SENresearch 4.0 jest idealnym narzędziem do badania grubości oraz wyznaczania parametrów optycznych materiałów objętościowych, pojedynczych warstw izotropowych i anizotropowych oraz układów złożonych wielowarstwowych, wyznaczania chropowatości powierzchni oraz interfaz, badań materiałów z gradientem właściwości, powłok porowatych, ultra cienkich warstw, w tym warstw subnanometrycznych, efektu depolaryzacji oraz wyznaczenia 15 elementów macierzy Muellera. SENresearch 4.0 został zaprojektowany do wysoce wymagających aplikacji z obszaru R&D, w tym pomiarów właściwości cienkich warstw na szkle, polimerów elektroluminescencyjnych i półprzewodnikowych, złożonych układów półprzewodnikowych, powłok niskoemisyjnych na szkle oraz badań zaawansowanych układów mikroelektronicznych, w tym struktur SOI, struktur „high-k" i „low-k".